这张由SK海力士提供的未注明日期的图片展示了该公司最新的36千兆12层HBM3E芯片。韩国联合通讯社
世界第二大存储芯片企业SK海力士(SK hynix) 25日表示，世界上首次开始大规模生产12层高带宽存储(HBM)芯片，从而巩固了与竞争对手的竞争优势。
SK海力士表示，将在年内向美国人工智能芯片巨头英伟达等客户提供36gb的12层HBM3E芯片。
这标志着该行业迄今为止首次大规模生产最高容量和最快的HBM芯片，超过了三星电子和美光科技等其他主要HBM制造商。
已经在HBM市场占据领先地位的SK海力士今年3月开始向英伟达供应8层HBM3E芯片。
SK海力士的HBM产品之所以受到欢迎，是因为以ChatGPT为代表的生成型人工智能(generative AI)等应用的兴起，使用于人工智能计算的集成元件HBM芯片受到了越来越多的关注。
新推出的12层HBM3E芯片有望主导未来的HBM市场，有报道称，英伟达即将推出的产品阵容将采用该芯片，SK海力士是该芯片的唯一生产商。
SK海力士方面表示，“12层HBM3E产品在速度、容量、稳定性等人工智能存储器所需的所有领域都达到了世界最高标准。”
三星电子计划在业界率先量产12层HBM3E，满足人工智能企业日益增长的需求，继续保持在人工智能存储器市场的领先地位。”
根据市场分析机构TrendForce的数据，SK海力士去年以53%的市场占有率占据了HBM市场的首位，三星电子(38%)、美光(9%)紧随其后。(联合通讯社)
